南京大学、东南大学团队突破双层二维半导体外延生长核心技术

据科技日报报道，南京大学王欣然教授团队和东南大学王金兰教授团队合作，实现了厘米级均匀性的双层二硫化钼薄膜的可控外延生长，并于最近几天发表在国际学术期刊《自然》上。

针对二硫化钼可控外延生长这一具有挑战性的前沿问题，研究团队提出了衬底诱导双层成核齐头并进的新生长机制论文合著者，南京大学教授王欣然介绍，团队在国际上首次实现了大面积，均匀双层二硫化钼薄膜的外延生长

王欣然说，研究团队利用高温退火工艺，在蓝宝石表面获得了均匀分布的高原子台阶，成功获得了99%以上的双层成核，实现了厘米级双层连续薄膜。

随后，该团队制造了一个具有双二硫化钼沟道的场效应晶体管器件阵列电学性能评估表明，双层二硫化钼器件的迁移率比单层二硫化钼器件提高了37.9%，器件的均匀性也大大提高通态电流高达1.27 mA/微米，创下了二维半导体器件的新纪录

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