至讯创新宣布成功研制国内首款全自研中小容量19nm2DNAND闪存芯片

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，智讯创新今日宣布，其自主研发的国内首款中小尺寸19nm 2D NAND闪存芯片研发成功，预计明年初全面投放市场。

据智讯创新介绍，这是国内首款19nm 2D NAND闪存芯片，完全自主研发，采用先进技术该产品将覆盖512Mb，1Gb和2Gb容量，提供1.8V和3.3V电压，采用串行接口SPI和WSON封装

据其介绍，既能满足消费类产品的可靠性要求，也能满足工作规定，车辆规定等高可靠性应用场景下的擦除次数和数据保留要求创新数据显示，该产品芯片面积减少40%，I/O速度提升25%，擦除周期提升70%

本站了解到，官方信息显示，智讯创新成立于2021年10月，总部位于江苏无锡，在上海，深圳，香港等地设有分公司目前，智讯创新正在进行A轮融资

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